|
| |
- ИРС-5
Высокоэффективные
излучающие диоды
ИРС5-590, ИРС5-630, ИРС5-800,
ИРС5-870
590 нм, 630 нм, 800 нм, 870 нм, /15°,
40°, 90°/
Возможно также изготовление
диодов на длинны волн: 460нм, 505нм, 525нм и белых.
|
| Высокоэффективные
излучающие диоды видимого и ИК-дианазонов в
металло-полимерном корпусе изготовлены на
основе гетероструктуры алюминий-галий-мышьяк с
прозрачной подложкой (TS AlGaAs). Излучающий кристалл представляет
собой светоотражающую мезаструктуру с диаметром
тела свечения 300 мкм. Контактные площадки из
сплава на основе золота (к п- и р- областям
структуры) расположены на тыльной поверхности
мезаструктуры и для достижения низких значений
электрического и теплового сопротивления
припаяны к соответствующим металлическим
электродам коммутационной платы (подложка из
оксидированного кремния). Верхняя поверхность
кристалла не содержит электродов и представляет
собой однородную излучающую область. Излучающий
диод обладает высоким
квантовым выходом излучения и позволяет
пропускать большие прямые токи. Электрические и
оптические характеристики излучающих диодов
ИРС-5 приведены в таблице. |
- Достоинства
- Высокоэффективная
структура с прозрачной подложкой
- Высокая однородность тела
свечения
- Высокая мощность излучения
- Повышенная временная
стабильность основных параметров
-
- Области применения
- Индикация
- Подсветка, оптическая связь
и дистанционное управление
|
- Предельные эксплутационные данные
- (Токр=25°С)
- Постоянный прямой ток 1,2 (ИК) .......120 мА
- Импульсный ток tи=10 мкс, Q>100…1500 мА
- Рассеиваемая мощность ..
......... .... 250 мВт
- Температура хранения
....…....……. -60°С - +85°С
- Диапазон рабочих
температур….… -60°С - +75°С
- Тепловое сопротивление р-п
переход-окружающая среда .... 300 оС/Вт
- 1. Для ИК диодов прямой
постоянный ток может быть увеличен до 180 мА, если
используется внешний радиатор площадью не менее
10 см2.
- 2. Снижается линейно при
температуре выше 55°С с коэффициентом 3 мА/°С
|
| Габаритные
размеры 
|
|
